專題製作 - 海報 專IV

專題摘要：
奈米多孔矽結構可廣泛用於低微半導體材料。在現有研究案例中,常於矽基板表面或背面施 以鹵素燈強光照射以產生電洞來協助蝕刻,但電洞密度易受到光源強度、距離、介質等影響, 遠不及在暗房中進行陽極氧化來得穩定,因此我們注重於常溫下 N 型矽基板的參雜濃度 (N- , N , N+)、蝕刻時間、蝕刻電流。並且以 SEM、PL 等精密儀器檢測多孔矽結構的深 度,分佈密度以及奈米晶,最後在進行各項因素的比較後,探討成因。本學期我們對試片進行 PL 光譜分析,綜合 PL 圖譜結果可以推論出本次實驗激發光的波長應會落在 680 nm 至 700 nm 之間,為紅光波段。再經由 UV 光的照射後,應證了激發光確實為紅光。電流愈大,亮部 面積越大,蝕刻效果越明顯符合實驗原理。但在形成奈米晶粒徑卻未必增大,可以再研究電 流增大是否對晶粒成長造成干擾或影響。未來也可繼續探討施加應力的外圍與內圈所造成的 發光效果是否會有顯著的差異。

發表學期：111-2

領域：能源材料

組別：第 9 組

指導老師：李天錫 教授

系級：三年級

學生姓名：姚思羽 109305512 吳樟莞 109305514 林侑德 109305515 馬克彥 109305518 呂忻頤 109602513