專題製作 - 海報 專II
AlGaN/GaN元件之歐姆接觸製作與特性分析
專題摘要：
現代半導體產業中 SiC與GaN 是被高度關注的寬能隙材料,比起Silicon可使用更高的電流、溫度與頻率,具有高臨界電場 ,且能有效減少能耗並提升能效。繼108-1學期專題 《 濕式蝕刻製程開發》,為更了解AlGaN/GaN功率元件之構造設計與原理,因此本學期的專題將從n-type 及 p-type GaN中的歐姆接觸開始了解,並學習 AlGaN/GaN元件之歐姆接觸製作與特性分析,希冀能精進相關知識。
發表學期：108-2
領域：能源材料
組別：第 11 組
指導老師：陳一塵
系級：二年級
學生姓名：李嘉鑫、王智乾