專題製作 - 影片 專II
矽基板生成量子點之研究
專題摘要：
我們研究了在氫氟酸和乙醇溶液中,蝕刻時間、參雜濃度、蝕刻電流對 n 型多孔矽 (PSi)
結構和形貌的影響。在本實驗中,多孔矽(PS)的電化學蝕刻是由矽晶片在蝕刻液
(HF:C2H5OH=1:1)中產生的,而電洞是其反應產生多孔矽的重要條件,多孔隙會在氫氟酸與
乙醇的溶液中發生表面氧化溶解。因電洞密度易受到光源強度、距離、介質等影響,遠不及
在暗房中進行陽極氧化來得穩定,因此我們選擇在常溫下的暗房中進行 N 型矽基板的實驗。
在實驗中,我們透過黑暗的環境,對其通以電流進行蝕刻,並以 TEM、SEM、PL 等精密儀器
檢測是否能確實產生多孔矽的結構。
發表學期：110-2
領域：能源材料
組別：第 9 組
指導老師：李天錫教授
系級：二年級
學生姓名：馬克彥 109305518 吳樟莞 109305514 林侑德 109305515 姚思羽 109305512 呂忻頤 109602513