專題製作 - 影片 專III
矽基板生成量子點之研究
專題摘要：
矽為間接能隙，間接能隙是由於導帶底部和價帶頂部同時具有能量及動量差，使電子越遷時除了發生能量變化，也會同時產生動量變化，所以需要晶格內聲子的參與。就一般而言，矽不易進行光致發光或電致發光，因而限制了在光電材料上的應用。在本實驗中，前人用電化學蝕刻的方式，將矽表面蝕刻形成多孔矽結構，並發現其擁有光致發光的現象。在多孔矽的形成過程中，電洞為蝕刻效率的關鍵因素， N 型矽晶圓因電子為主要載流子，所以通常須以光照產生電洞的方式幫助蝕刻，在此基礎上我們修改實驗內容，用疏水性晶圓鍵合技術製作蕭特基接面的方式，輸入電洞取代光照，使其穩定度更高。最後根據實驗結果進行結果與討論。
發表學期：111-1
領域：能源材料
組別：第 2 組
指導老師：李天錫教授
系級：三年級
學生姓名：吳樟莞, 林侑德 , 馬克彥 , 呂忻頤 , 姚思羽