畢業專題 - 影片
摻雜矽薄膜之雷射退火製程研發
專題摘要：
在將非晶矽轉化成多晶矽甚至單晶之開法,多晶矽薄膜製造,在傳統高溫爐 管退火方式需要高於 600 度的環境,並且所需要的時間也很長,在此溫度下基板 的選擇也以石英為主,相對非晶矽製程需要更高成本,因此利用雷射退火有著未 來應用的潛力。 109-1 學期專題<雷射摻雜製程開發>、1092 學期專題<V2O5 雷射還原 製程開發>,本學期專題將嘗試進雷射退火製程開發,利用二氧化碳雷射進行摻 雜非晶矽退火製程,透過調變不同製程參數來優化雷射退火製程,並探討不同摻 雜濃度之矽晶在退火後表面結構的改變及電性的影響。
發表學期：110-2
領域：能源材料
組別：第 2 組
指導老師：陳一塵
系級：四年級
學生姓名：107305516李嘉鑫、107305520王智乾